單晶少子壽命測(cè)試儀。

更新時(shí)間：2024-05-10

產(chǎn)品型號(hào)：GZ-LT-2 帶示波器

廠家性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

訪問次數(shù)：764

簡(jiǎn)要描述：

GZ-LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。

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詳細(xì)介紹

單晶少子壽命測(cè)試儀少子壽命測(cè)試儀型號(hào)：GZ-LT-2

GZ-LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。

本儀器根據(jù)國(guó)際通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計(jì)，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測(cè)量數(shù)據(jù)可靠。

技　術(shù)　指　標(biāo) ：

測(cè)試單晶電阻率范圍	>2Ω.cm
可測(cè)單晶少子壽命范圍	5μS～7000μS
配備光源類型	波長(zhǎng)：1.09μm；余輝<1 μS；閃光頻率為：20～30次／秒；閃光頻率為：20～30次／秒；
高頻振蕩源	用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz
前置放大器	放大倍數(shù)約25，頻寬2 Hz-1 MHz
儀器測(cè)量重復(fù)誤差	<±20％
測(cè)量方式	采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式
儀器消耗功率	<25W
儀器工作條件	溫度： 10-35℃、濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz
可測(cè)單晶尺寸	斷面豎測(cè)：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；縱向臥測(cè)：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
配用示波器	頻寬0—20MHz；電壓靈敏：10mV／cm；

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